Транзистор N-MOSFET WAYON WMM25N80M3, 800В, 21А, TO263 (набір 10 шт.)
2 270 ₴
- В наявності
- Код: TM079888
Транзистор N-MOSFET WAYON WMM25N80M3, 800В, 21А, TO263 (набір 10 шт.)В наявності
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMM25N80M3 — це N-канальний MOSFET з технологією WMOS™ M3. Прилад розрахований на напругу до 800 В та струм до 21 А. У комплекті поставляється 10 одиниць у корпусі TO263 для монтажу на поверхню (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-виток: 800 В
- Максимальний струм стоку: 21 А
- Розсіювана потужність: 250 Вт
- Опір у відкритому стані: 0,26 Ом
- Корпус: TO263, монтаж SMD
- Технологія: WMOS™ M3
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор витримує напругу між витоком та стоком до 800 В. Максимальний струм стоку становить 21 А. Опір у відкритому стані дорівнює 0,26 Ом. Напруга на затворі обмежена ±30 В.
Потужність та корпус
Розсіювана потужність приладу сягає 250 Вт. Корпус TO263 та тип монтажу SMD визначають спосіб встановлення компонента на платі.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 250 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 21 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 260 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO263 |
| Виробник | WAYON |
| Технологія | WMOS™ M3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 270 ₴