Транзистор N-MOSFET WAYON WMM20N20JN, 200В, 12А, TO263 (комплект 30 шт.)
2 040 ₴
- В наявності
- Код: TM079886
Транзистор N-MOSFET WAYON WMM20N20JN, 200В, 12А, TO263 (комплект 30 шт.)В наявності
2 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMM20N20JN — це N-канальний MOSFET збагаченого типу в корпусі TO263 для поверхневого монтажу (SMD). Комплект складається з 30 одиниць.
- Тип: N-MOSFET, збагачений канал
- Напруга стік-витік: 200 В
- Струм стіка: 12 А (60 А в імпульсі)
- Потужність розсіювання: 59 Вт
- Корпус: TO263, монтаж SMD
- Комплект: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу стік-витік 200 В та постійний струм стіка 12 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 60 А, а максимальна розсіювана потужність становить 59 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 80 мОм.
Швидкодія та керування
Час готовності транзистора становить 110 нс. Заряд затвора — 4,1 нКл, а допустима напруга затвор-витік — ±20 В. Полярність транзистора — уніполярна.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 59 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 200 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 80 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 110 нс |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | TO263 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 040 ₴