Транзистор N-MOSFET WAYON WMM16N60FD, 600В, 13А, TO263 (WMM16N60FD-CYG) — набір 20 шт.
2 310 ₴
- В наявності
- Код: TM037513
Транзистор N-MOSFET WAYON WMM16N60FD, 600В, 13А, TO263 (WMM16N60FD-CYG) — набір 20 шт.В наявності
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMM16N60FD — це N-MOSFET з каналом збагачення, розрахований на напругу 600 В та струм 13 А. Прилад виконаний у корпусі TO263 для поверхневого монтажу (SMD) і належить до технології WMOS™ FD.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 13 А
- Розсіювана потужність: 86 Вт
- Корпус: TO263 для монтажу SMD
- Технологія: WMOS™ FD
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри та керування
Транзистор витримує напругу дрена-джерела 600 В та постійний струм дрена 13 А. Максимальна розсіювана потужність становить 86 Вт, а опір у стані провідності дорівнює 0,32 Ом. Напруга на затворі обмежена ±30 В. Транзистор є уніполярним.
Корпус і монтаж
Компонент розміщується у стандартному корпусі TO263, призначеному для технології поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
Товар постачається набором із 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 86 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 13 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 320 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO263 |
| Виробник | WAYON |
| Технологія | WMOS™ FD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 310 ₴