Транзистор N-MOSFET WAYON WMM048NV6HG4, 65В, 110А, корпус TO263 (WMM048NV6HG4-CYG) — набір 30 шт.

Транзистор N-MOSFET WAYON WMM048NV6HG4 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи в схемах керування потужністю. Модель розрахована на напругу 65 В та постійний струм 110 А, що робить її придатною для силових застосувань.

• Постійний струм стоку 110 А
• Імпульсний струм до 440 А
• Напруга стік-витік 65 В
• Опір у стані провідності 5,2 мОм
• Розсіювана потужність 104,2 Вт
• Корпус TO263, монтаж SMD
• Набір із 30 транзисторів

Висока струмова навантаженість

Компонент витримує постійний струм стоку 110 А, що дозволяє використовувати його в потужних силових ланцюгах. Імпульсний струм може досягати 440 А, що забезпечує надійну роботу при різких пікових навантаженнях. Це важливо для систем, де необхідна стабільність під час короткочасних перевантажень.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 104,2 Вт, що вимагає належного теплового відведення. Низький опір у стані провідності 5,2 мОм зменшує втрати енергії та нагрівання компонента. Це сприяє підвищенню загального ККД пристрою та зменшенню розмірів радіаторів.

Компактний монтаж SMD

Транзистор виконаний у корпусі TO263 із технологією монтажу SMD, що забезпечує компактність друкованих плат та зручність автоматизованого монтажу. Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В, що визначає вимоги до драйверів керування та захисту вхідного кола. Заряд затвора 28,5 нКл впливає на швидкість перемикання та вимоги до потужності керуючого сигналу. Канал збагачення та уніполярна структура забезпечують простоту керування та стабільну роботу в ключових режимах. Товар поставляється набором із 30 штук, що зручно для серійного виробництва або складання партій пристроїв.