Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET WAYON WMM040N08HGS, 80В, 180А, корпус TO263 (WMM040N08HGS-CYG) — набір 20 шт.

1 900 ₴

  • В наявності
  • Код: TM079880
Транзистор N-MOSFET WAYON WMM040N08HGS, 80В, 180А, корпус TO263 (WMM040N08HGS-CYG) — набір 20 шт.
Транзистор N-MOSFET WAYON WMM040N08HGS, 80В, 180А, корпус TO263 (WMM040N08HGS-CYG) — набір 20 шт.В наявності
1 900 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор WAYON WMM040N08HGS — це силовий N-MOSFET з каналом збагачення. Компонент має номінальний струм 180 А та напругу стік-витік 80 В.

  • Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
  • Напруга стік-витік: 80 В
  • Постійний струм стіка: 180 А
  • Імпульсний струм стіка: 720 А
  • Розсіювана потужність: 227,3 Вт
  • Корпус: TO263, монтаж SMD
  • Набір: 20 штук

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік 80 В та витримує постійний струм стіка 180 А. У імпульсному режимі допустимий струм становить 720 А. Опір у відкритому стані становить 4,8 мОм.

Теплові характеристики та монтаж

Максимальна розсіювана потужність транзистора — 227,3 Вт. Компонент виконаний у корпусі TO263 із технологією монтажу SMD. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В, а сумарний заряд затвора — 78,5 нКл.

Комплектація

Товар постачається набором із 20 штук. Полярність транзистора — уніполярна. Сумарний заряд затвора становить 78,5 нКл, а напруга затвор-витік обмежена ±20 В.

Характеристики
Основні
Максимальна потужність розсіювання227.3 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік80 В
Максимально допустимий струм стоку180 А
Опір у відкритому стані (Rds)4.8 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті20 шт.
КорпусTO263
ВиробникWAYON
Інформація для замовлення
  • Ціна: 1 900 ₴