Транзистор N-MOSFET WAYON WMM023N08HGS, 80В, 270А, TO263 (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET WAYON WMM023N08HGS — це потужний напівпровідниковий компонент у корпусі TO263 для промислової та силовий електроніки. Комплект із 20 штук забезпечує необхідну кількість для серійного виробництва або ремонту обладнання. Висока струмова навантаженість та низький опір відкритого каналу дозволяють ефективно керувати великими навантаженнями.

• Струм стоку 270 А для потужних силових схем
• Імпульсний струм до 1080 А для пікових навантажень
• Низький опір відкритого каналу 2,6 мОм
• Корпус TO263 для поверхневого монтажу (SMD)
• Набір із 20 транзисторів у комплекті

Висока струмова навантаженість

Транзистор працює з постійним струмом стоку 270 А, що робить його придатним для потужних інверторів та джерел живлення. Імпульсний струм може досягати 1080 А, що дозволяє витримувати короткочасні пікові навантаження без пошкодження компонента. Це критично важливо для систем, де можливі раптові сплески струму при запуску двигунів або зарядці акумуляторів.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 329 Вт, що вимагає якісного відведення тепла від корпусу. Низька опірність у стані провідності 2,6 мОм мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи. Це підвищує загальний ККД пристрою та зменшує потреби у надмірно великих радіаторах.

Зручний монтаж та надійність

Компонент виконаний у корпусі TO263 для поверхневого монтажу (SMD), що спрощує автоматизацію процесу збірки плат. Напруга стік-витік 80 В забезпечує запас міцності для роботи в силових схемах. Напруга затвор-витік ±20 В дозволяє використовувати стандартні драйвери затворів без додаткових рівнів напруги.

Комплектація

У комплекті поставляється 20 транзисторів WAYON WMM023N08HGS. Така кількість зручна для прототипування невеликих серій або заміни компонентів у ремонтних майстернях.

Керування затвором та заряд ємності затвора (Qg) 145 нКл — це відносно низьке значення, що спрощує вибір драйвера затвора та зменшує втрати на перемикання. Менший заряд затвора дозволяє досягати вищих частот перемикання, що важливо для високоефективних імпульсних джерел живлення. Це знижує навантаження на керуючу схему та підвищує загальну ефективність пристрою. Завдяки цьому транзистор можна використовувати в схемах, де важлива швидкість реакції та мінімальні втрати при перемиканні. Така характеристика робить компонент універсальним для різних типів силових перетворювачів. Цей транзистор призначений для інженерів та виробників, які потребують надійного N-MOSFET з високими струмовими характеристиками для силових схем. Комплект із 20 штук оптимізує закупівлю для невеликих партій обладнання.