Транзистор N-MOSFET WAYON WMK4N65D1B, 650В, 4А, 112Вт (WMK4N65D1B-CYG) — набір 70 шт.
1 860 ₴
- В наявності
- Код: TM079861
Транзистор N-MOSFET WAYON WMK4N65D1B, 650В, 4А, 112Вт (WMK4N65D1B-CYG) — набір 70 шт.В наявності
1 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMK4N65D1B — це N-MOSFET із технологією WMOS™ D1. Модель має максимальну напругу стік-витік 650 В, максимальний струм стоку 4 А та максимальну потужність розсіювання 112 Вт.
- Максимальна напруга стік-витік 650 В
- Струм стоку 4 А (імпульсний до 16 А)
- Потужність розсіювання 112 Вт
- Корпус TO220-3, монтаж THT
- Технологія WMOS™ D1
- Набір із 70 транзисторів
Технічні параметри та надійність
Максимально допустима напруга стік-витік становить 650 В. Максимально допустимий струм стоку — 4 А, а в імпульсному режимі (Idm) він може досягати 16 А. Максимальна потужність розсіювання — 112 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі TO220-3. Тип монтажу — THT (through-hole technology), що означає встановлення виводів у отвори на друкованій платі.
Комплектація
Товар поставляється набором із 70 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 112 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2200 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 70 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Виробник | WAYON |
| Технологія | WMOS™ D1 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 860 ₴