
Транзистор N-MOSFET WAYON WMK028N08HGD, 80В, 167А, TO220-3 (WMK028N08HGD-CYG) — набір 20 шт.
2 080 ₴
- В наявності
- Код: TM037500
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET WAYON WMK028N08HGD — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель розрахована на напругу 80 В та постійний струм 167 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 80 В
- Постійний струм стіка: 167 А, імпульсний: 668 А
- Опір у відкритому стані: 3,3 мОм
- Розсіювана потужність: 166,6 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Заряд затвора: 108,2 нКл
- Комплектація: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 80 В та постійний струм стіка 167 А. Імпульсний струм стіка може досягати 668 А, що дозволяє витримувати короткочасні пікові навантаження. Опір у відкритому стані становить 3,3 мОм.
Теплові характеристики та монтаж
Максимальна розсіювана потужність дорівнює 166,6 Вт. Прилад виконаний у корпусі TO220-3 з виводами для монтажу на плату (THT). Напруга затвор-витік обмежена значенням ±20 В, а заряд затвора становить 108,2 нКл.
Комплектація
Товар постачається набором із 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 166.6 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 80 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 167 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3.3 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 080 ₴
