Транзистор N-MOSFET WAYON WMJ9N150D1, 1500 В, 9 А, TO247-3 (WMJ9N150D1-CYG) — набір 3 шт.

Транзистор WAYON WMJ9N150D1 — це N-MOSFET з технологією WMOS™ D1. Комплект складається з 3 одиниць у корпусі TO247-3, що забезпечує зручний монтаж на плату.

• Напруга дрена-джерела: 1,5 кВ
• Струм дрена: 9 А (постійний), 36 А (імпульсний)
• Розсіювана потужність: 320 Вт
• Корпус: TO247-3, монтаж THT
• Технологія: WMOS™ D1
• Комплектація: 3 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1,5 кВ та постійний струм дрена 9 А.

Імпульсна потужність

Прилад витримує імпульсний струм дрена до 36 А та має розсіювану потужність 320 Вт.

Зручний монтаж THT

Компонент виконаний у корпусі TO247-3 з типом монтажу THT (скрізний монтаж). Це спрощує процес встановлення на друковані плати та забезпечує надійний механічний контакт, що критично для силових елементів із великим тепловиділенням.

Параметри керування та опір

Напруга затвор-джерело становить ±30 В, а заряд затвора — 85,2 нКл. Опір у стані провідності дорівнює 2,9 Ом. Тип каналу транзистора — збагачуваний, а полярність — уніполярна.