Транзистор N-MOSFET WAYON WMJ99N60F2, 600В, 60А, корпус TO247-3
2 060 ₴
- В наявності
- Код: TM079850
Транзистор N-MOSFET WAYON WMJ99N60F2, 600В, 60А, корпус TO247-3В наявності
2 060 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMJ99N60F2 — це силовий N-MOSFET з каналом збагачення, розроблений на основі технології WMOS™ F2. Компонент має напругу стік-джерело 600 В та номінальний струм стоку 60 А.
- Напруга стік-джерело: 600 В
- Струм стоку: 60 А (імпульсний до 350 А)
- Опір у відкритому стані: 25,5 мОм
- Потужність розсіювання: 460 Вт
- Корпус: TO247-3 (монтаж THT)
- Технологія: WMOS™ F2
Електричні параметри
Напруга стік-джерело становить 600 В. Номінальний струм стоку дорівнює 60 А, а імпульсний струм — 350 А. Максимальна напруга затвор-джерело обмежена ±30 В.
Опір та потужність
Опір у відкритому стані дорівнює 25,5 мОм. Потужність розсіювання становить 460 Вт. Заряд затвора дорівнює 174 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO247-3. Монтаж здійснюється через отвори (THT). Транзистор є уніполярним.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 460 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 60 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 25.5 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | TO247-3 |
| Виробник | WAYON |
| Технологія | WMOS™ F2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 060 ₴