Транзистор N-MOSFET WAYON WMJ90N65C4, 650В, 50А, TO247-3 (WMJ90N65C4-CYG) — набір 2 шт.

Транзистор WAYON WMJ90N65C4 — це силовий N-MOSFET із технологією WMOS™ C4, що застосовується в силових електронних схемах. Комплект складається з 2 одиниць у корпусі TO247-3, що забезпечує зручний монтаж на плату.

• Напруга дрена-джерела: 650 В
• Струм дрена: 50 А (постійний), 295 А (імпульсний)
• Розсіювана потужність: 430 Вт
• Опір у стані провідності: 29 мОм
• Корпус: TO247-3, монтаж THT
• Комплектація: 2 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 650 В та постійний струм дрена 50 А. Це дозволяє використовувати компонент у високовольтних схемах, де потрібна надійна комутація значних навантажень.

Імпульсна потужність

Максимальний імпульсний струм дрена становить 295 А, а розсіювана потужність — 430 Вт. Параметри дозволяють працювати в режимах пікових навантажень та короткочасних перевантажень.

Низький опір та швидкість

Опір у стані провідності дорівнює 29 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента. Заряд затвора 142 нКл забезпечує оптимальну швидкість перемикання для ефективної роботи силових ключів.

Зручний монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO247-3 з технологією монтажу THT (скрізь отвори). Це спрощує процес встановлення на друковані плати та забезпечує механічну міцність з'єднання.## Надійна ізоляція затвораДопустима напруга затвор-джерело становить ±30 В, що забезпечує надійну ізоляцію керуючого входу. Транзистор має збагачуваний канал та уніполярну поляризацію, що визначає специфіку його підключення до керуючих схем.