
Транзистор N-MOSFET WAYON WMJ80R350S, 800В, 8,4А, TO247-3 (WMJ80R350S-CYG) — набір 5 шт.
2 920 ₴
- В наявності
- Код: TM021407
Транзистор WAYON WMJ80R350S — це N-канальний MOSFET з технологією WMOS™ S. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO247-3, що забезпечує зручний монтаж на друковану плату.
- Напруга дрена-джерела: 800 В
- Постійний струм дрена: 8,4 А
- Імпульсний струм дрена: 56 А
- Корпус: TO247-3 (монтаж THT)
- Опір у стані провідності: 0,33 Ом
- Розсіювана потужність: 183 Вт
- Технологія: WMOS™ S
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 800 В та постійний струм дрена 8,4 А.
Імпульсна потужність
Прилад витримує імпульсний струм дрена до 56 А, що важливо для пускових режимів та короткочасних пікових навантажень. Максимальна розсіювана потужність становить 183 Вт, що потребує ефективного відведення тепла від корпусу.
Зручний монтаж THT
Компонент виконаний у корпусі TO247-3 з технологією вивідного монтажу (THT). Таке рішення спрощує пайку та забезпечує надійний механічний контакт із платою, що є критичним для силових вузлів.
Низький опір у відкритому стані
Опір у стані провідності дорівнює 0,33 Ом, що мінімізує втрати енергії та нагрівання транзистора під час роботи. Заряд затвора становить 31 нКл.
Комплектація
У комплекті поставляється 5 транзисторів WAYON WMJ80R350S. Це зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання, де використовується кілька силових ключів.
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 183 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 8.4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 330 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Виробник | WAYON |
| Технологія | WMOS™ S |
- Ціна: 2 920 ₴
