Транзистор N-MOSFET WAYON WMJ80N60C4, 600V, 45A, TO247-3 (WMJ80N60C4-CYG) — набір 2 шт.

Транзистор N-MOSFET WAYON WMJ80N60C4 — це напівпровідниковий прилад з каналом, що збагачується, у корпусі TO247-3. Комплект складається з 2 штук, призначених для монтажу на плату (THT).

• Струм дрена 45 А, імпульсний струм 245 А
• Напруга дрена-джерела 600 В
• Опір у стані провідності 33 мОм
• Розсіювана потужність 410 Вт
• Корпус TO247-3, монтаж THT
• Комплект: 2 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 600 В та постійним струмом дрена 45 А. У імпульсному режимі струм може досягати 245 А. Опір у стані провідності становить 33 мОм.

Теплові характеристики та керування

Максимальна розсіювана потужність дорівнює 410 Вт. Для керування затвором потрібна напруга ±30 В, а сумарний заряд затвора — 103 нКл. Час готовності становить 375 нс.

Технологія та монтаж

Виріб виготовлений за технологією WMOS™ C4. Це уніполярний транзистор з корпусом TO247-3, який встановлюється методом THT (скрізний монтаж). Напруга затвор-джерело становить ±30 В, а заряд затвора — 103 нКл. Транзистор має канал, що збагачується.