Транзистор N-MOSFET WAYON WMJ53N65F2, 650 В, 26 А, TO247-3 (WMJ53N65F2-CYG) — набір 3 шт.
2 360 ₴
- В наявності
- Код: TM037498
Транзистор N-MOSFET WAYON WMJ53N65F2, 650 В, 26 А, TO247-3 (WMJ53N65F2-CYG) — набір 3 шт.В наявності
2 360 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMJ53N65F2 — це N-MOSFET з каналом збагачення, розрахований на напругу 650 В та струм 26 А. Прилад виготовлений за технологією WMOS™ F2 у корпусі TO247-3 для монтажу в отвори (THT).
- Напруга дрена-джерела: 650 В
- Струм дрена: 26 А (імпульсний 90 А)
- Опір у стані провідності: 78 мОм
- Розсіювана потужність: 350 Вт
- Корпус TO247-3, монтаж THT
- Комплект: 3 шт.
Напруга та струм
Транзистор працює з напругою дрена-джерела 650 В та постійним струмом дрена 26 А. Імпульсний струм дрена становить 90 А.
Опір та потужність
Опір у стані провідності становить 78 мОм, а розсіювана потужність — 350 Вт.
Керування та тип каналу
Напруга затвор-джерело становить ±30 В, а заряд затвора — 58 нКл. Транзистор є уніполярним із збагачуваним каналом.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 350 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 26 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 78 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Виробник | WAYON |
| Технологія | WMOS™ F2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 360 ₴