Транзистор N-MOSFET WAYON WMJ3N150D1, 1500 В, 3 А, TO247-3 (WMJ3N150D1-CYG) — набір 10 шт.
2 150 ₴
- В наявності
- Код: TM079846
Транзистор N-MOSFET WAYON WMJ3N150D1, 1500 В, 3 А, TO247-3 (WMJ3N150D1-CYG) — набір 10 шт.В наявності
2 150 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMJ3N150D1 — це силовий N-MOSFET з напругою дрена-джерела 1,5 кВ та струмом 3 А. Компонент виготовлений за технологією WMOS™ D1 у корпусі TO247-3 для монтажу на плату (THT). Поставляється набором із 10 штук.
- Тип: N-MOSFET, канал збагачуваний
- Напруга дрена-джерела: 1,5 кВ
- Струм дрена: 3 А (12 А в імпульсі)
- Корпус: TO247-3, монтаж THT
- Технологія: WMOS™ D1
- Комплект: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1,5 кВ та постійний струм дрена 3 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 12 А. Максимальна розсіювана потужність становить 125 Вт.
Опір та заряд затвора
Опір у стані провідності дорівнює 5,7 Ом. Заряд затвора становить 40 нКл. Напруга затвор-джерело обмежена ±30 В.
Корпус та монтаж
Транзистор виконаний у корпусі TO247-3 з виводами для встановлення на плату (THT). Компонент є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачуваного типу.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 5700 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Виробник | WAYON |
| Технологія | WMOS™ D1 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 150 ₴