Транзистор WAYON WMJ3N120D1, N-MOSFET, 1200 В, 3 А, TO247-3 (WMJ3N120D1-CYG) — набір 20 шт.

Транзистор WAYON WMJ3N120D1 — це силовий N-MOSFET із технологією WMOS™ D1, призначений для використання в електронних схемах. Комплект складається з 20 одиниць у корпусі TO247-3, що забезпечує зручний монтаж на друковану плату.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга дрена-джерела: 1,2 кВ
• Струм дрена: 3 А (постійний), 12 А (імпульсний)
• Корпус: TO247-3, монтаж THT
• Технологія: WMOS™ D1
• Комплектація: 20 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1,2 кВ та постійний струм дрена 3 А. Це дозволяє використовувати компонент у високовольтних схемах, де потрібна надійна ізоляція та стабільна робота під навантаженням.

Імпульсна потужність

Прилад витримує імпульсний струм дрена до 12 А, що важливо для пускових струмів та пікових навантажень. Максимальна розсіювана потужність становить 156,2 Вт, що вимагає ефективного відведення тепла через радіатор.

Зручний монтаж THT

Компонент виконаний у корпусі TO247-3 з технологією монтажу THT (скрізний монтаж). Таке рішення спрощує паяння та забезпечує механічну міцність з'єднання, що є критичним для силових електронних вузлів.

Електричні параметри та опір

Транзистор є уніполярним з каналом збагачення (enhancement mode). Напруга затвор-джерело становить ±30 В, а заряд затвора — 22,2 нКл. Опір у стані провідності дорівнює 6,3 Ом, що визначає втрати потужності при протіканні струму через відкритий транзистор.