Транзистор WAYON WMJ25N80M3 N-MOSFET 800В 21А 250Вт (WMJ25N80M3-CYG) — набір 5 шт.

Транзистор WAYON WMJ25N80M3 — це польовий N-MOSFET транзистор з технологією WMOS™ M3. Пристрій має максимальну напругу стік-витік 800 В та струм стоку 21 А.

• Тип транзистора: Польовий (N-MOSFET)
• Максимальна напруга стік-витік: 800 В
• Максимальний струм стоку: 21 А
• Потужність розсіювання: 250 Вт
• Опір у відкритому стані: 260 mOm
• Корпус: TO247-3
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на високу напругу: максимально допустима напруга стік-витік становить 800 В, а затвор-витік — 30 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 21 А. Опір у відкритому стані (Rds) складає 260 mOm.

Потужність та конструкція

Максимальна потужність розсіювання транзистора — 250 Вт. Виріб виконаний у корпусі TO247-3 з вставним типом монтажу. Канал транзистора є збагаченим (wzbogacany), полярність — уніполярна.

Комплектація

У наборі постачається 5 шт. транзисторів.