Транзистор N-MOSFET WAYON WMJ11N150D1, 1500 В, 11 А, TO247-3 (WMJ11N150D1-CYG) — набір 3 шт.
2 030 ₴
- В наявності
- Код: TM079844
Транзистор N-MOSFET WAYON WMJ11N150D1, 1500 В, 11 А, TO247-3 (WMJ11N150D1-CYG) — набір 3 шт.В наявності
2 030 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMJ11N150D1 — це N-MOSFET з каналом збагачення, розрахований на напругу 1,5 кВ та струм 11 А. Пристрій виготовлений за технологією WMOS™ D1 у корпусі TO247-3 для монтажу в отвори (THT). Комплект складається з 3 однакових транзисторів.
- Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
- Напруга дрена-джерела: 1500 В
- Струм дрена: 11 А (імпульсний 44 А)
- Корпус: TO247-3, монтаж THT
- Технологія: WMOS™ D1
- Комплект: 3 шт.
Висока напруга та струм
Напруга дрена-джерела становить 1,5 кВ. Номінальний струм дрена — 11 А, імпульсний струм (Idm) — 44 А.
Технологія WMOS™ D1
Технологія WMOS™ D1 визначає параметри компонента. Опір у стані провідності становить 2,5 Ом. Заряд затвора — 93 нКл.
Монтаж та корпус
Корпус — TO247-3. Тип монтажу — THT (в отвори). Максимальна розсіювана потужність — 250 Вт. Полярність транзистора — уніполярна. Напруга затвор-джерело становить ±30 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 250 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 11 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2500 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Виробник | WAYON |
| Технологія | WMOS™ D1 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 030 ₴