Транзистор N-MOSFET WAYON WMJ10N80D1, 800В, 10А, TO247-3, комплект 20 шт.
3 000 ₴
- В наявності
- Код: TM021403
Транзистор N-MOSFET WAYON WMJ10N80D1, 800В, 10А, TO247-3, комплект 20 шт.В наявності
3 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMJ10N80D1 — це N-MOSFET з технологією WMOS™ D1. Комплект складається з 20 одиниць у корпусі TO247-3.
- Напруга дрена-джерела: 800 В
- Постійний струм дрена: 10 А
- Імпульсний струм дрена: 40 А
- Розсіювана потужність: 215 Вт
- Опір у стані провідності: 910 мОм
- Корпус: TO247-3 (THT)
- Комплект: 20 шт.
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 800 В та постійний струм дрена 10 А.
Імпульсна потужність
Максимальний імпульсний струм дрена становить 40 А, а розсіювана потужність — 215 Вт.
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у корпусі TO247-3 з технологією встановлення THT (скрізь отвори).
Технологія WMOS™ D1
Використання технології WMOS™ D1 забезпечує опір у стані провідності 910 мОм. Напруга затвор-джерело становить ±30 В, а заряд затвору — 33 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 215 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 10 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 910 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Виробник | WAYON |
| Технологія | WMOS™ D1 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 000 ₴