Транзистор P-MOSFET WAYON WMB60P02TS, -20В, -60А, PDFN5060-8 (WMB60P02TS-CYG) — набір 50 шт.
2 190 ₴
- В наявності
- Код: TM037491
Транзистор P-MOSFET WAYON WMB60P02TS, -20В, -60А, PDFN5060-8 (WMB60P02TS-CYG) — набір 50 шт.В наявності
2 190 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMB60P02TS — це уніполярний P-MOSFET з напругою стік-витік -20 В та струмом стоку -60 А. Прилад виконаний у корпусі PDFN5060-8 для монтажу SMD і постачається набором із 50 штук.
- Тип: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-витік: -20 В
- Струм стоку: -60 А (імпульсний: -240 А)
- Потужність розсіювання: 41,9 Вт
- Опір у відкритому стані: 7,8 мОм
- Корпус: PDFN5060-8, монтаж SMD
- Комплектація: 50 шт.
Електричні параметри та потужність
Транзистор має канал збагачення та витримує імпульсний струм стоку до -240 А. Потужність розсіювання становить 41,9 Вт, а опір у відкритому стані — 7,8 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі PDFN5060-8 для поверхневого монтажу (SMD). Напруга затвор-витік обмежена ±10 В, заряд затвора — 43 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 41.9 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 10 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7.8 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 190 ₴