Транзистор N-MOSFET WAYON WMB56N04T1, 40V, 56A, PDFN5060-8 (набір 50 шт.)

Транзистор WAYON WMB56N04T1 — це N-MOSFET з каналом збагачення, розрахований на напругу 40 В та постійний струм 56 А. Компонент виконаний у корпусі PDFN5060-8 для поверхневого монтажу (SMD) і постачається набором із 50 штук.

• Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 40 В
• Постійний струм стіка: 56 А
• Імпульсний струм стіка: 224 А
• Опір у відкритому стані: 7,2 мОм
• Корпус: PDFN5060-8 (SMD)
• Кількість у наборі: 50 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік 40 В та витримує імпульсний струм до 224 А. Опір у відкритому стані становить 7,2 мОм, що забезпечує ефективну комутацію. Потужність розсіювання — 35,7 Вт, а заряд затвора — 36 нКл.

Корпус та монтаж

Компонент розміщений у сучасному корпусі PDFN5060-8, призначеному для технології SMD. Таке виконання дозволяє компактно розміщувати транзистор на друкованих платах, економлячи місце та спрощуючи автоматизований монтаж.

Полярність та тип каналу Транзистор є уніполярним N-MOSFET із каналом збагачення. Це означає, що пристрій відкритий за наявності додатної напруги на затворі відносно витоку, що є стандартним рішенням для низькоомних комутаційних схем. ## Напруга на затворі Максимальна допустима напруга затвор-витік становить ±20 В. Цей параметр визначає безпечний діапазон керуючих сигналів, який необхідно дотримуватися для запобігання пробою ізолятора затвора. ## Комплектація Товар постачається набором із 50 транзисторів. Така кількість зручна для серійного виробництва, складання прототипів або створення запасу компонентів для ремонтних робіт. Транзистор WAYON WMB56N04T1 підходить для інженерів та виробників електроніки, яким потрібні силові ключі з параметрами 40 В та 56 А.