Транзистор N-MOSFET WAYON WMB52N03T2, 30В, 33А, PDFN5060-8 (набір 40 шт.)
2 260 ₴
- В наявності
- Код: TM079836
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB52N03T2, 30В, 33А, PDFN5060-8 (набір 40 шт.)В наявності
2 260 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMB52N03T2 — це польовий транзистор типу N-MOSFET з каналом збагачення. Модель має напругу дрен-джерело 30 В та постійний струм дрену 33 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга дрен-джерело: 30 В
- Постійний струм дрену: 33 А
- Імпульсний струм дрену: 125 А
- Розсіювана потужність: 27 Вт
- Опір у відкритому стані: 9 мОм
- Корпус: PDFN5060-8 (монтаж SMD)
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу дрен-джерело 30 В та постійний струм дрену 33 А. Імпульсний струм дрену може досягати 125 А. Опір у відкритому стані становить 9 мОм. Максимальна розсіювана потужність — 27 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі PDFN5060-8 із технологією монтажу SMD. Напруга затвор-джерело становить ±20 В, а заряд затвора — 8 нКл.
Комплектація
Товар постачається набором із 40 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 27 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 33 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 9 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 260 ₴