Транзистор N-MOSFET WAYON WMB510N15HG2, 150В, 28А, PDFN5060-8, комплект 30 шт.
2 710 ₴
- В наявності
- Код: TM021401
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB510N15HG2, 150В, 28А, PDFN5060-8, комплект 30 шт.В наявності
2 710 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMB510N15HG2 — це N-MOSFET з напругою дрена-джерела 150 В та струмом дрена 28 А. Комплект складається з 30 одиниць у корпусі PDFN5060-8 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, збагачуваний канал
- Напруга дрена-джерела: 150 В
- Струм дрена: 28 А, імпульсний струм: 112 А
- Потужність розсіювання: 80,6 Вт
- Опір у стані провідності: 51 мОм
- Корпус: PDFN5060-8, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу дрена-джерела 150 В. Номінальний струм дрена становить 28 А, а імпульсний струм (Idm) досягає 112 А.
Потужність та опір
Потужність розсіювання становить 80,6 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 51 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі PDFN5060-8 для технології поверхневого монтажу (SMD).
Комплект включає 30 транзисторів WAYON WMB510N15HG2.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 80.6 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 28 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 51 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 710 ₴