Транзистор P-MOSFET WAYON WMB50P04TS, -40В, -50А, SMD (WMB50P04TS-CYG) — набір 40 шт.

Транзистор WAYON WMB50P04TS — це P-канальний MOSFET збагачувального типу в корпусі PDFN5060-8. Характеризується постійним струмом дрена -50 А при напрузі дрена-джерела -40 В. Напруга затвор-джерело становить ±20 В, а заряд затвора — 28 нКл.

• Тип: P-MOSFET, збагачувальний канал
• Напруга дрена-джерела: -40 В
• Струм дрена: -50 А (до -200 А в імпульсі)
• Потужність розсіювання: 55 Вт
• Опір у відкритому стані: 13 мОм
• Корпус: PDFN5060-8, монтаж SMD
• Набір: 40 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою дрена-джерела -40 В та постійним струмом дрена -50 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає -200 А. Потужність розсіювання становить 55 Вт, а опір у відкритому стані — 13 мОм. Заряд затвора дорівнює 28 нКл.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі PDFN5060-8 для поверхневого монтажу (SMD). Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В.

Комплектація

Товар постачається набором із 40 транзисторів.