Транзистор P-MOSFET WAYON WMB50P03TS, -30В, -50А, PDFN5060-8 (WMB50P03TS-CYG) — набір 40 шт.
1 950 ₴
- В наявності
- Код: TM079835
Транзистор P-MOSFET WAYON WMB50P03TS, -30В, -50А, PDFN5060-8 (WMB50P03TS-CYG) — набір 40 шт.В наявності
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-MOSFET транзистор WAYON WMB50P03TS у корпусі PDFN5060-8 для монтажу SMD. Пристрій розрахований на струм стоку -50 А та напругу стік-витік -30 В. Комплект складається з 40 одиниць.
- Тип транзистора: P-MOSFET
- Струм стоку: -50 А
- Напруга стік-витік: -30 В
- Корпус: PDFN5060-8
- Монтаж: SMD
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Електричні параметри та потужність
Транзистор має канал збагаченого типу та уніполярну поляризацію. Максимальний струм стоку становить -50 А, а імпульсний струм досягає -200 А. Напруга стік-витік обмежена -30 В, напруга затвор-витік — ±20 В. Опір у відкритому стані дорівнює 9 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі PDFN5060-8 для поверхневого монтажу (SMD). Розсіювана потужність становить 39 Вт, а заряд затвора — 45 нКл.
Комплект складається з 40 одиниць.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 39 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 9 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 950 ₴