Транзистор N-MOSFET WAYON WMB340N20HG2, 200В, 40А, PDFN5060-8 (набір 20 шт.)

Транзистор WAYON WMB340N20HG2 — це N-MOSFET з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 40 А при напрузі 200 В. Компактний корпус PDFN5060-8 та монтаж SMD забезпечують ефективне використання простору на платі. Товар поставляється набором із 20 одиниць, що зручно для серійного виробництва або ремонту. Символ TME: WMB340N20HG2-CYG.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга стік-виток: 200 В
• Постійний струм стіка: 40 А, імпульсний: 160 А
• Потужність розсіювання: 108,6 Вт
• Опір у стані провідності: 34 мОм
• Корпус: PDFN5060-8, монтаж SMD
• Набір: 20 шт.

Ефективність та низькі втрати

Транзистор має потужність розсіювання 108,6 Вт, що дозволяє працювати з значними навантаженнями без перегріву. Це важливо для силових ланцюгів, де потрібна стабільна робота під високим навантаженням. Низький опір у стані провідності 34 мОм мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента, підвищуючи загальний ККД пристрою.

Імпульсні режими роботи

Прилад витримує імпульсний струм стоку до 160 А, що робить його придатним для пускових струмів та короткочасних пікових навантажень. Така характеристика корисна в інверторах та джерелах живлення, де виникають різкі стрибки струму. Номінальний постійний струм становить 40 А, забезпечуючи стабільну роботу в основному режимі.

Зручний монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі PDFN5060-8 з типом монтажу SMD, що спрощує автоматизоване встановлення на друковані плати. Полярність транзистора — уніполярна, канал — збагачуваний (enhancement mode). Напруга затвор-виток становить ±20 В, що відповідає стандартним драйверам затворів. Заряд затвора дорівнює 23 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до потужності драйвера.