Транзистор WAYON WMB31430DN, N-MOSFET x2, 30V, 56/130A, PDFN5060D-8 (набір 20 шт.)

Транзистор WAYON WMB31430DN — це комплект із 20 штук подвійних N-MOSFET транзисторів у корпусі PDFN5060D-8. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) у електронних пристроях, що потребують комутації струму до 130 А при напрузі 30 В.

• Комплект із 20 транзисторів WAYON WMB31430DN
• Тип: подвійний N-MOSFET (N-MOSFET x2)
• Напруга стік-виток: 30 В
• Струм стіка: 56/130 А
• Опір у провідному стані: 4,5/1,3 мОм
• Корпус: PDFN5060D-8, монтаж SMD

Електричні параметри

Транзистор має напругу стік-виток 30 В та струм стіка 56/130 А. Опір у провідному стані становить 4,5/1,3 мОм,. Заряд затвора дорівнює 31,1/90 нКл, а допустима напруга затвор-виток — ±20 В.

Теплові характеристики

Потужність розсіювання становить 24/37,8 Вт. Це визначає тепловий режим роботи компонента у складі пристрою та вимоги до відведення тепла від корпусу.

Структура та монтаж

Компонент є уніполярним з каналом збагачення та асиметричною структурою напівпровідника. Монтаж виконується методом SMD у корпусі PDFN5060D-8, що дозволяє розміщувати транзистор на друкованих платах без свердління отворів.

Заряд затвора та керування Заряд затвора становить 31,1/90 нКл,. Допустима напруга затвор-виток дорівнює ±20 В, що визначає допустимий рівень керуючого сигналу. ## Структура та монтаж Транзистор має уніполярну структуру з каналом збагачення та асиметричну будову напівпровідника. Монтаж виконується методом SMD у корпусі PDFN5060D-8, що дозволяє розміщувати компонент на друкованих платах без свердління отворів. Комплект із 20 транзисторів.