Транзистор N-MOSFET WAYON WMB175N10LG4, 100В, 46А, PDFN5060-8 (комплект 40 шт.)

Транзистор WAYON WMB175N10LG4 — це N-MOSFET з каналом збагачення, розрахований на напругу 100 В та струм 46 А. Компонент виконаний у корпусі PDFN5060-8 для поверхневого монтажу (SMD) і постачається комплектом із 40 штук.

• Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
• Напруга стік-витік: 100 В
• Струм стіка: 46 А (імпульсний до 184 А)
• Розсіювана потужність: 71,4 Вт
• Корпус: PDFN5060-8, монтаж SMD
• Комплектація: 40 штук

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік до 100 В та витримує постійний струм стіка 46 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 184 А. Опір у відкритому стані становить 17 мОм, що знижує втрати при пропусканні струму.

Потужність та керування

Максимальна розсіювана потужність дорівнює 71,4 Вт. Для керування затвором потрібна напруга ±20 В, а сумарний заряд затвора становить 22,7 нКл. Ці характеристики визначають швидкість перемикання та вимоги до драйвера затвора.

Корпус та монтаж

Компонент має корпус PDFN5060-8, призначений для поверхневого монтажу (SMD). Таке виконання забезпечує компактність вузла та зручність автоматизованого монтажу на друкованих платах.