Транзистор N-MOSFET WAYON WMB175N10HG4, 100В, 29А, PDFN5060-8 (WMB175N10HG4-CYG) — набір 30 шт.

Транзистор WAYON WMB175N10HG4 — це польовий транзистор типу N-MOSFET з напругою стік-витік 100 В та струмом 29 А. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі PDFN5060-8. Пакет містить 30 одиниць.

• Тип: N-MOSFET, збагачуваний канал
• Напруга стік-витік: 100 В
• Струм стіка: 29 А (імпульсний 184 А)
• Опір у відкритому стані: 17,5 мОм
• Розсіювана потужність: 71,4 Вт
• Корпус: PDFN5060-8 (SMD)
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри та канал

Транзистор працює з напругою стік-витік 100 В та постійним струмом стіка 29 А. Імпульсний струм стіка досягає 184 А. Опір у відкритому стані становить 17,5 мОм. Тип транзистора — N-MOSFET з каналом, що збагачується (enhancement mode). Поляризація — уніполярна.

Теплові характеристики та керування затвором

Максимальна розсіювана потужність дорівнює 71,4 Вт. Час готовності (switching time) становить 30 нс. Заряд затвора — 17 нКл, напруга затвор-витік — ±20 В.

Корпус та комплектація

Компонент виконаний у корпусі PDFN5060-8 для поверхневого монтажу (SMD). У комплекті поставляється 30 одиниць.