Транзистор WAYON WMB175DN10LG4, N-MOSFET x2, 100V, 39A, PDFN5060-8 (WMB175DN10LG4-CYG) — набір 30 шт.

Транзистор WAYON WMB175DN10LG4 — це комплект із 30 штук подвійних N-MOSFET транзисторів у корпусі PDFN5060-8. Використовується для комутації струму до 39 А при напрузі 100 В.

• Комплект із 30 транзисторів
• Струм дренажу 39 А, імпульсний 156 А
• Напруга дренаж-джерело 100 В
• Опір у відкритому стані 19,5 мОм
• Корпус PDFN5060-8 для SMD монтажу
• Розсіювана потужність 59,5 Вт

Потужність та струм

Транзистори витримують постійний струм дренажу 39 А та імпульсний струм до 156 А. Максимальна розсіювана потужність становить 59,5 Вт.

Електричні параметри

Номінальна напруга дренаж-джерело дорівнює 100 В, а напруга затвор-джерело — ±20 В. Опір у відкритому стані (Rds(on)) становить 19,5 мОм. Загальний заряд затвора — 22,5 нКл.

Монтаж та корпус

Компоненти виконані в корпусі PDFN5060-8 для поверхневого монтажу (SMD). Конфігурація «N-MOSFET x2» означає, що в одному корпусі розміщено два транзистори з каналом збагачення. Поляризація транзисторів — уніполярна.