
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB129N10T2, 100В, 129А, PDFN5060-8 (WMB129N10T2-CYG) — набір 30 шт.
2 740 ₴
- В наявності
- Код: TM021398
Транзистор WAYON WMB129N10T2 — це N-MOSFET з каналом збагачення, призначений для комутації високих струмів у силових електронних схемах. Компонент розрахований на напругу 100 В та постійний струм 129 А,
- Постійний струм стоку 129 А
- Піковий струм у імпульсі 402 А
- Низький опір у відкритому стані 4,2 мОм
- Розсіювана потужність 127,5 Вт
- Корпус PDFN5060-8 із монтажем SMD
- Набір із 30 транзисторів
Висока струмова навантаженість
Транзистор витримує постійний струм стоку 129 А. У імпульсному режимі пристрій здатний пропускати піковий струм до 402 А, забезпечуючи надійну роботу при різких стрибках навантаження.
Ефективне розсіювання тепла
Максимальна розсіювана потужність становить 127,5 Вт, що визначає тепловий режим компонента при роботі. Низький опір у відкритому стані 4,2 мОм мінімізує втрати енергії та нагрівання корпусу під час пропускання струму.
Зручний монтаж та корпус
Компонент виконаний у корпусі PDFN5060-8 із технологією монтажу SMD, що забезпечує компактність друкованих плат. Заряд затвора 91 нКл впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера затвора. Максимальна напруга затвор-витік ±20 В визначає допустимі рівні керуючого сигналу для безпечної експлуатації.
Комплектація
Товар поставляється набором із 30 штук.
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 127.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 129 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4.2 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Виробник | WAYON |
- Ціна: 2 740 ₴
