Транзистор N-MOSFET WAYON WMB128N10T2, 100В, 128А, PDFN5060-8 (комплект 20 шт.)

Транзистор WAYON WMB128N10T2 — це силовий N-MOSFET у корпусі PDFN5060-8 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 20 одиниць, призначених для електронних схем із навантаженням до 100 В та струмом до 128 А.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
• Максимальна напруга дрена-джерела: 100 В
• Постійний струм дрена: 128 А (імпульсний: 512 А)
• Розсіювана потужність: 127,5 Вт
• Корпус: PDFN5060-8, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 100 В та постійним струмом дрена 128 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає 512 А, а розсіювана потужність становить 127,5 Вт. Напруга на затворі обмежена ±20 В.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі PDFN5060-8 із типом монтажу SMD.

Комплект поставки

У пакуванні міститься 20 транзисторів. Транзистор є уніполярним із збагачуваним каналом. Опір у стані провідності становить 4,2 мОм, а заряд затвора — 72 нКл.