Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET WAYON WMB119N12LG4, 120В, 65А, PDFN5060-8 (WMB119N12LG4-CYG) — набір 30 шт.

2 690 ₴

  • В наявності
  • Код: TM021397
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB119N12LG4, 120В, 65А, PDFN5060-8 (WMB119N12LG4-CYG) — набір 30 шт.
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB119N12LG4, 120В, 65А, PDFN5060-8 (WMB119N12LG4-CYG) — набір 30 шт.В наявності
2 690 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET WAYON WMB119N12LG4 — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Модель розрахована на напругу 120 В та постійний струм 65 А. Пакет містить 30 одиниць товару.

  • Струм стоку 65 А для потужних навантажень
  • Імпульсний струм до 260 А для пікових режимів
  • Розсіювана потужність 96,1 Вт
  • Низький опір у відкритому стані 11,9 мОм
  • Корпус PDFN5060-8 для монтажу SMD
  • Комплект із 30 транзисторів

Параметри струму та напруги

Компонент має постійний струм стоку 65 А. У імпульсному режимі допустимий струм становить 260 А. Напруга стік-витік дорівнює 120 В, а напруга затвор-витік — ±20 В.

Потужність та опір

Максимальна розсіювана потужність становить 96,1 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 11,9 мОм. Заряд затвора становить 30 нКл.

Корпус та монтаж

Транзистор виконаний у корпусі PDFN5060-8 із технологією монтажу SMD. Тип транзистора — N-MOSFET, поляризація — уніполярна, канал — збагачений.

Транзистор WAYON WMB119N12LG4. Комплект: 30 шт.

Характеристики
Основні
Максимальна потужність розсіювання96.1 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік120 В
Максимально допустимий струм стоку65 А
Опір у відкритому стані (Rds)11.9 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті30 шт.
КорпусPDFN5060-8
ВиробникWAYON
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 690 ₴