
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB119N12LG4, 120В, 65А, PDFN5060-8 (WMB119N12LG4-CYG) — набір 30 шт.
2 690 ₴
- В наявності
- Код: TM021397
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB119N12LG4 — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Модель розрахована на напругу 120 В та постійний струм 65 А. Пакет містить 30 одиниць товару.
- Струм стоку 65 А для потужних навантажень
- Імпульсний струм до 260 А для пікових режимів
- Розсіювана потужність 96,1 Вт
- Низький опір у відкритому стані 11,9 мОм
- Корпус PDFN5060-8 для монтажу SMD
- Комплект із 30 транзисторів
Параметри струму та напруги
Компонент має постійний струм стоку 65 А. У імпульсному режимі допустимий струм становить 260 А. Напруга стік-витік дорівнює 120 В, а напруга затвор-витік — ±20 В.
Потужність та опір
Максимальна розсіювана потужність становить 96,1 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 11,9 мОм. Заряд затвора становить 30 нКл.
Корпус та монтаж
Транзистор виконаний у корпусі PDFN5060-8 із технологією монтажу SMD. Тип транзистора — N-MOSFET, поляризація — уніполярна, канал — збагачений.
Транзистор WAYON WMB119N12LG4. Комплект: 30 шт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 96.1 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 120 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 65 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 11.9 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 690 ₴
