Транзистор N-MOSFET WAYON WMB119N12HG4, 120В, 65А, PDFN5060-8 (30 шт.)

Транзистор N-MOSFET WAYON WMB119N12HG4 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для комутації в електронних схемах. Комплект із 30 штук забезпечує запас для серійного виробництва або ремонту обладнання.

• Струм стоку 65 А та імпульсний струм 260 А
• Розсіювана потужність 96,1 Вт забезпечує стабільність під навантаженням
• Низький опір у відкритому стані 12 мОм зменшує втрати енергії
• Компактний корпус PDFN5060-8 для монтажу SMD
• Напруга стік-витік 120 В для роботи в мережах підвищеної напруги
• Комплект із 30 транзисторів

Висока струмова навантаженість

Транзистор витримує постійний струм стоку 65 А та імпульсний струм до 260 А, що дозволяє використовувати його в силових ланцюгах із високими піковими навантаженнями. Ці параметри дозволяють використовувати компонент у ланцюгах із високими піковими навантаженнями.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 96,1 Вт, що гарантує стабільну роботу компонента під час тривалих навантажень. Низький опір у відкритому стані 12 мОм зменшує втрати енергії.

Компактний монтаж SMD

Компонент виконаний у корпусі PDFN5060-8 із технологією монтажу SMD, що дозволяє розміщувати його на друкованих платах із високою щільністю трасування. Це рішення підходить для сучасних компактних електронних модулів, де важливо заощадити місце на платі.

Надійна ізоляція та керування

Напруга стік-витік 120 В забезпечує запас міцності для роботи в мережах із підвищеною напругою. Напруга затвор-витік ±20 В та заряд затвора 23,7 нКл визначають параметри керування компонентом.

Транзистор WAYON WMB119N12HG4 підходить для електронних схем, що потребують надійної комутації.