Транзистор N-MOSFET WAYON WMB099N10LGS, 100В, 44,3А, PDFN5060-8, комплект 30 шт.

Транзистор WAYON WMB099N10LGS — це N-MOSFET з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель розрахована на напругу дрена-джерела 100 В та постійний струм дрена 44,3 А, призначений для комутації в електронних схемах.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 100 В
• Струм дрена: 44,3 А (імпульсний до 280 А)
• Розсіювана потужність: 96,1 Вт
• Опір у стані провідності: 14 мОм
• Корпус: PDFN5060-8, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор витримує напругу між дрена-джерелом до 100 В та напругу на затворі ±20 В. Струм дрена становить 44,3 А, а імпульсний струм може досягати 280 А.

Потужність та опір

Максимальна розсіювана потужність дорівнює 96,1 Вт. Опір у стані провідності становить 14 мОм.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі PDFN5060-8 із типом монтажу SMD (поверхневий монтаж). Заряд затвора становить 57,5 нКл.