Транзистор N-MOSFET WAYON WMB099N10HGS, 100В, 43А, PDFN5060-8 (30 шт.)
2 150 ₴
- В наявності
- Код: TM079828
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB099N10HGS, 100В, 43А, PDFN5060-8 (30 шт.)В наявності
2 150 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMB099N10HGS — це N-MOSFET з каналом збагачення, розрахований на напругу 100 В та струм 43 А. Пакет містить 30 одиниць у корпусі PDFN5060-8 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: N-MOSFET, канал збагачення
- Напруга дрена-джерела: 100 В
- Струм дрена: 43 А (імпульсний 272 А)
- Опір у відкритому стані: 9,9 мОм
- Розсіювана потужність: 96,1 Вт
- Корпус: PDFN5060-8 (SMD)
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює при напрузі дрена-джерела 100 В та витримує імпульсний струм до 272 А. Опір у відкритому стані становить 9,9 мОм. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 96,1 Вт, а заряд затвора — 59 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі PDFN5060-8, призначеному для технології SMD. Монтаж виконується методом поверхневого монтажу (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 96.1 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 43 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 9.9 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 150 ₴