Транзистор N-MOSFET WAYON WMB090N04LG2, 40 В, 33 А, SMD (WMB090N04LG2-CYG) — набір 40 шт.
2 290 ₴
- В наявності
- Код: TM079826
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB090N04LG2, 40 В, 33 А, SMD (WMB090N04LG2-CYG) — набір 40 шт.В наявності
2 290 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMB090N04LG2 — це N-канальний MOSFET з підвищеним каналом, розрахований на напругу 40 В та струм 33 А. Пристрій виконаний у корпусі PDFN5060-8 для монтажу на поверхню (SMD) і постачається комплектом із 40 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET з підвищеним каналом
- Максимальна напруга дрена-джерела: 40 В
- Постійний струм дрена: 33 А
- Імпульсний струм дрена: 200 А
- Розсіювана потужність: 32,9 Вт
- Опір у стані провідності: 15 мОм
- Корпус: PDFN5060-8 (SMD монтаж)
- Комплектація: 40 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела 40 В та витримує постійний струм дрена 33 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає 200 А,. Опір у стані провідності становить 15 мОм,. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 32,9 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент розміщений у корпусі PDFN5060-8 для поверхневого монтажу (SMD). Заряд затвора становить 6,5 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 32.9 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 33 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 15 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 290 ₴