Транзистор N-MOSFET WAYON WMB080N03LG2, 30 В, 25,5 А, PDFN5060-8 (WMB080N03LG2-CYG) — набір 50 шт.

Транзистор WAYON WMB080N03LG2 — це N-канальний MOSFET з підвищеним типом каналу, призначений для роботи в електронних схемах із напругою до 30 В. Компонент виконаний у корпусі PDFN5060-8 для поверхневого монтажу (SMD) та постачається комплектом із 50 штук.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, з підвищеним каналом
• Максимальна напруга дрена-джерела: 30 В
• Постійний струм дрена: 25,5 А (імпульсний до 168 А)
• Опір у відкритому стані: 12 мОм
• Корпус: PDFN5060-8, монтаж SMD
• Комплектація: 50 шт.

Потужність та тепловий режим

Максимальна розсіювана потужність транзистора дорівнює 30,4 Вт. Опір у відкритому стані становить 12 мОм.

Струм та напруга

Транзистор розрахований на постійну напругу дрена-джерела 30 В та постійний струм дрена 25,5 А. У імпульсному режимі струм може досягати 168 А.

Корпус та монтаж

Компонент має корпус PDFN5060-8. Монтаж виконується методом SMD (поверхневий монтаж), що є стандартним для сучасних друкованих плат. Увага: товар постачається як набір із 50 транзисторів.