Транзистор N-MOSFET WAYON WMB072N12HG2, 120В, 90А, SMD (WMB072N12HG2-CYG) — набір 20 шт.
2 380 ₴
- В наявності
- Код: TM079824
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB072N12HG2, 120В, 90А, SMD (WMB072N12HG2-CYG) — набір 20 шт.В наявності
2 380 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMB072N12HG2 — це N-MOSFET з напругою дрена-джерела 120 В та струмом дрена 90 А. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі PDFN5060-8.
- Струм дрена 90 А
- Напруга дрена-джерела 120 В
- Імпульсний струм дрена 360 А
- Розсіювана потужність 104 Вт
- Опір у стані провідності 7,5 мОм
- Корпус PDFN5060-8 для монтажу SMD
- Набір із 20 штук
Потужність та струмові характеристики
Постійний струм дрена становить 90 А, а імпульсний струм дрена може досягати 360 А. Розсіювана потужність транзистора — 104 Вт. Низький опір у стані провідності 7,5 мОм зменшує втрати енергії під час роботи.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі PDFN5060-8 для монтажу на поверхню (SMD). Такий формат корпусу дозволяє економити місце на платі та забезпечує компактне розміщення.
Тип та поляризація транзистора
Товар поставляється набором із 20 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 104 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 120 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 90 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 380 ₴