Транзистор N-MOSFET WAYON WMB050N03LG4, 30V, 65A, SMD (WMB050N03LG4-CYG) — набір 50 шт.
2 280 ₴
- В наявності
- Код: TM079823
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB050N03LG4, 30V, 65A, SMD (WMB050N03LG4-CYG) — набір 50 шт.В наявності
2 280 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMB050N03LG4 — це N-MOSFET з напругою дрена-джерела 30 В та струмом дрена 65 А. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі PDFN5060-8.
- Струм дрена 65 А
- Напруга дрена-джерела 30 В
- Імпульсний струм 260 А
- Опір у стані провідності 5,4 мОм
- Корпус PDFN5060-8 (SMD)
- Набір із 50 штук
Потужність та струм
Транзистор працює зі струмом дрена 65 А та витримує імпульсний струм до 260 А. Потужність розсіювання становить 31,25 Вт. Опір у стані провідності 5,4 мОм зменшує нагрівання компонента під час роботи.
Керування та перемикання
Напруга затвор-джерело становить ±20 В. Заряд затвора 16 нКл визначає характеристики перемикання. Транзистор є уніполярним із збагачуваним каналом.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі PDFN5060-8 для поверхневого монтажу (SMD). Напруга дрена-джерела становить 30 В. Товар поставляється набором із 50 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 31.25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 65 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 5.4 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 280 ₴