Транзистор N-MOSFET WAYON WMB049N12HG2, 120В, 66А, PDFN5060-8 (WMB049N12HG2-CYG) — набір 20 шт.
3 160 ₴
- В наявності
- Код: TM021392
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB049N12HG2, 120В, 66А, PDFN5060-8 (WMB049N12HG2-CYG) — набір 20 шт.В наявності
3 160 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB049N12HG2 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для комутації струмів до 66 А при напрузі 120 В. Корпус PDFN5060-8 забезпечує компактне SMD-монтажне рішення для силових електронних схем.
- Струм дрена 66 А для потужних силових ланцюгів
- Імпульсний струм до 420 А для пускових режимів
- Низький опір у відкритому стані 5 мОм
- Розсіювана потужність 113,6 Вт
- Корпус PDFN5060-8 для SMD-монтажу
- Набір із 20 транзисторів
Висока струмова навантаженість
Транзистор працює з постійним струмом дрена 66 А. Імпульсний струм може досягати 420 А.
Ефективне розсіювання тепла
Максимальна розсіювана потужність становить 113,6 Вт. Низький опір у відкритому стані 5 мОм мінімізує втрати енергії та нагрівання під час роботи.
Зручний монтаж та комплектація
Компонент виконаний у корпусі PDFN5060-8 для поверхневого монтажу (SMD). Товар поставляється набором із 20 штук. Напруга затвор-витік ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 113.6 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 120 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 66 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 160 ₴