Транзистор N-MOSFET WAYON WMB043N10LGS, 100В, 120А, 131.6Вт, корпус PDFN5060-8, набір 20 шт.
1 860 ₴
- В наявності
- Код: TM079822
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB043N10LGS, 100В, 120А, 131.6Вт, корпус PDFN5060-8, набір 20 шт.В наявності
1 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів WAYON WMB043N10LGS — це N-канальні MOSFET-прилади з підвищеним каналом (enhancement mode) у корпусі PDFN5060-8 для поверхневого монтажу (SMD). Компоненти мають максимальну напругу стік-витік 100 В та постійний струм стоку 120 А.
- Максимальний струм стоку 120 А
- Напруга стік-витік 100 В
- Потужність розсіювання 131.6 Вт
- Корпус PDFN5060-8, монтаж SMD
- Набір із 20 транзисторів
- Імпульсний струм до 480 А
Потужність та струмові характеристики
Транзистори мають постійний струм стоку до 120 А та імпульсний струм до 480 А. Максимальна потужність розсіювання становить 131.6 Вт. Максимально допустима напруга стік-витік дорівнює 100 В.
Корпус та монтаж
Компоненти виконані у корпусі PDFN5060-8 із типом монтажу SMD. У комплекті постачається 20 транзисторів.
Електричні параметри
Заряд затвора становить 111.2 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 131.6 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 120 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 860 ₴