Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор WAYON WMB042DN03LG2, N-MOSFET, 30 В, 45/50 А, PDFN5060D-8 (30 шт.)

2 690 ₴

  • В наявності
  • Код: TM021391
Транзистор WAYON WMB042DN03LG2, N-MOSFET, 30 В, 45/50 А, PDFN5060D-8 (30 шт.)
Транзистор WAYON WMB042DN03LG2, N-MOSFET, 30 В, 45/50 А, PDFN5060D-8 (30 шт.)В наявності
2 690 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор WAYON WMB042DN03LG2 — це комплект із 30 польових транзисторів типу N-MOSFET у корпусі PDFN5060D-8. Призначений для поверхневого монтажу, має максимальну напругу стік-витік 30 В та струм 45/50 А.

  • Тип транзистора: польовий N-MOSFET
  • Максимальна напруга стік-витік: 30 В
  • Струм стоку: 45/50 А
  • Корпус: PDFN5060D-8 (поверхневий монтаж)
  • Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистори є польовими (FET) з каналом типу N (N-MOSFET). Максимально допустима напруга між стоком та витоком (VDS) становить 30 В, а напруга затвор-витік (VGS) — 20 В. Струм стоку (ID) становить 45/50 А. Потужність розсіювання (PD) зазначена як 26/27,1 Вт.

Конструкція та монтаж

Компоненти мають поверхневий тип монтажу (SMD) та розміщені в корпусі PDFN5060D-8. Структура напівпровідника є асиметричною, а канал — збагачуваним (enhancement mode). Поляризація транзисторів — уніполярна.

Комплектація

У комплекті поставляється 30 одиниць транзисторів. Заряд затвора становить 8,8/15 нКл, а опір у стані провідності — 5,5/4,2 мОм.

Характеристики
Основні
ВиробникPD
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік30 В
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Додаткові характеристики
СтанНовий
Користувальницькі характеристики
Гарантійний термін12 міс
Кількість у комплекті30 шт.
КорпусPDFN5060D-8
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 690 ₴