Транзистор N-MOSFET WAYON WMB042DN03LG2, 30V, 45/50A, PDFN5060D-8 (набір 30 шт.)

Транзистор WAYON WMB042DN03LG2 — це подвійний N-MOSFET у корпусі PDFN5060D-8, призначений для комутації струмів до 50 А при напрузі 30 В. Комплект із 30 одиниць забезпечує запас компонентів для серійного виробництва або ремонту електронних пристроїв.

• Подвійний N-MOSFET з напругою 30 В та струмом 45/50 А
• Потужність розсіювання 26/27,1 Вт для стабільної роботи
• Низький опір у відкритому стані 5,5/4,2 мОм
• Компактний SMD-корпус PDFN5060D-8
• Заряд затвора 8,8/15 нКл для швидкого перемикання
• Комплект із 30 транзисторів

Висока струмова навантаженість

Транзистор працює з напругою дрена-джерела 30 В та витримує струм дрена 45/50 А. Така характеристика дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах, де потрібна надійна комутація значних струмів без перегріву.

Ефективне розсіювання тепла

Потужність розсіювання становить 26/27,1 Вт, що є високим показником для корпусу такого типу. Це дозволяє транзистору ефективно відводити тепло під час роботи, зменшуючи потребу у складних системах охолодження.

Компактний SMD-корпус

Монтаж виконується за технологією SMD у корпусі PDFN5060D-8. Компактні розміри та поверхневий монтаж спрощують автоматизацію пайки та дозволяють економити місце на друкованій платі.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності становить 5,5/4,2 мОм. Низький опір мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи, що підвищує загальний ККД пристрою.

Транзистор WAYON WMB042DN03LG2 підходить інженерам та технікам, які потребують надійних силових ключів для промислових або побутових електронних систем.## Швидке перемикання та керуванняЗаряд затвора становить 8,8/15 нКл, що забезпечує швидке відкривання та закривання транзистора. Максимальна напруга затвор-джерело ±20 В дозволяє використовувати стандартні драйвери керування. Асиметрична структура напівпровідника оптимізована для специфічних режимів роботи.