Транзистор N-MOSFET WAYON WMB040N03LG2, 30В, 38А, PDFN5060-8 (40 шт.)
1 880 ₴
- В наявності
- Код: TM079821
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB040N03LG2, 30В, 38А, PDFN5060-8 (40 шт.)В наявності
1 880 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMB040N03LG2 — це уніполярний N-MOSFET з каналом збагачення, розрахований на напругу 30 В та струм 38 А. Компонент виконаний у корпусі PDFN5060-8 для монтажу SMD і поставляється комплектом із 40 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 30 В
- Струм дрена: 38 А (постійний), 121 А (імпульсний)
- Розсіювана потужність: 28 Вт
- Опір у стані провідності: 6,1 мОм
- Корпус: PDFN5060-8, монтаж SMD
- Комплектація: 40 штук
Електричні параметри
Транзистор працює при напрузі дрена-джерела 30 В та витримує постійний струм дрена 38 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає 121 А, а розсіювана потужність становить 28 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 6,1 мОм.
Керування та монтаж
Напруга затвор-джерело становить ±20 В, а заряд затвора — 15 нКл. Компонент призначений для поверхневого монтажу (SMD) у корпусі PDFN5060-8.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 28 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 38 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 6.1 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 880 ₴