Транзистор N-MOSFET WAYON WMB023N03LG2, 30В, 67А, PDFN5060-8, набір 30 шт.
2 110 ₴
- В наявності
- Код: TM079819
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB023N03LG2, 30В, 67А, PDFN5060-8, набір 30 шт.В наявності
2 110 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 30 транзисторів WAYON WMB023N03LG2 — це N-MOSFET компоненти для електронних схем. Пристрої розраховані на напругу 30 В та струм 67 А, призначені для роботи в електронних схемах.
- Напруга дрена-джерела 30 В
- Струм дрена 67 А (імпульсний до 251 А)
- Потужність розсіювання 49 Вт
- Опір у стані провідності 3,7 мОм
- Корпус PDFN5060-8 для SMD монтажу
- Набір із 30 транзисторів
Технічні параметри
Транзистор має напругу дрена-джерела 30 В та номінальний струм дрена 67 А. У імпульсному режимі пристрій витримує струм до 251 А. Потужність розсіювання становить 49 Вт, а опір у стані провідності — 3,7 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі PDFN5060-8, призначеному для поверхневого монтажу (SMD). Корпус PDFN5060-8 призначений для поверхневого монтажу (SMD). Напруга затвор-джерело становить ±20 В, а заряд затвора — 21,5 нКл.
Комплектація
У пакуванні міститься 30 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 49 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 67 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3.7 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 110 ₴