Транзистор N-MOSFET WAYON WMB010N04LG4, 40В, 268А, PDFN5060-8, комплект 30 шт.
2 530 ₴
- В наявності
- Код: TM037486
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB010N04LG4, 40В, 268А, PDFN5060-8, комплект 30 шт.В наявності
2 530 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMB010N04LG4 — це N-канальний MOSFET з підвищеним каналом, розрахований на напругу 40 В та постійний струм 268 А. Прилад виконаний у корпусі PDFN5060-8 для поверхневого монтажу (SMD) і постачається комплектом із 30 одиниць.
- Постійний струм стоку 268 А
- Імпульсний струм стоку 1072 А
- Напруга стік-витік 40 В
- Опір у стані провідності 1 мОм
- Розсіювана потужність 114 Вт
- Корпус PDFN5060-8 для SMD монтажу
- Комплект із 30 транзисторів
Висока струмова навантаженість
Транзистор витримує постійний струм стоку 268 А та імпульсний струм до 1072 А. Максимальна розсіювана потужність становить 114 Вт, що визначає тепловий режим роботи приладу.
Низький опір у відкритому стані
Опір каналу у стані провідності дорівнює 1 мОм.
Параметри керування та корпус
Напруга затвор-витік обмежена ±20 В, а сумарний заряд затвора становить 118 нКл. Компонент має уніполярну структуру та збагачуваний канал. Монтаж виконується методом SMD у корпусі PDFN5060-8,
Комплект із 30 транзисторів WAYON WMB010N04LG4.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 114 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 268 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 530 ₴