Транзистор N-MOSFET WAYON WM10N02G, 100В, 200мА, SOT323, набір 60 шт.

Транзистор WAYON WM10N02G — це N-MOSFET з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель розрахована на напругу стік-витік до 100 В та струм стоку 200 мА, що робить її придатною для комутаційних задач.

• Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
• Напруга стік-витік: 100 В
• Струм стоку: 200 мА (імпульсний 0,5 А)
• Корпус: SOT323 для SMD-монтажу
• Набір: 60 транзисторів

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 100 В та напругу затвор-витік ±20 В. Струм стоку становить 200 мА, а імпульсний струм може досягати 0,5 А. Опір у відкритому стані дорівнює 6 Ом, що забезпечує ефективну комутацію з мінімальними втратами.

Монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі SOT323 для поверхневого монтажу (SMD). Такий формат підходить для автоматизованого виробництва та компактних друкованих плат. Потужність розсіювання обмежена 0,2 Вт, тому важливо забезпечити належний тепловідвід.

Заряд затвора та полярність заряду затвора заряду затвора становить 1,5 нКл, що впливає на швидкість перемикання транзистора. Полярність заряду затвора є уніполярною, що визначає специфіку керування каналом.

Товар поставляється набором із 60 транзисторів. Це зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання, де потрібна заміна кількох компонентів одночасно.