Транзистор P-MOSFET WAYON WM03P115R, DFN2020-6, SMD, 3.5 Вт (WM03P115R-CYG) — набір 40 шт.

Транзистор WAYON WM03P115R — це уніполярний P-MOSFET у корпусі DFN2020-6 для поверхневого монтажу (SMD). Прилад розрахований на розсіювання потужності до 3.5 Вт.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
• Корпус: DFN2020-6, монтаж SMD
• Максимальна потужність розсіювання: 3.5 Вт
• Імпульсний струм стока: -46 А
• Набір: 40 штук

Технічні параметри

Транзистор має тип каналу «збагачений» (enhancement) та полярність «уніполярний». Максимальна потужність розсіювання становить 3.5 Вт. Імпульсний струм стока (Idm) становить -46 А, що дозволяє використовувати компонент у схемах з короткочасними піковими навантаженнями.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у компактному корпусі DFN2020-6. Тип монтажу — SMD (поверхневий), що забезпечує щільне розміщення на друкованих платах. Таке виконання підходить для автоматизованого виробництва електронних модулів.

Комплектація

Товар постачається набором із 40 штук. Це зручно для серійного виробництва або ремонту партій обладнання, де потрібна однакова модель транзистора.## Заряд затвора та опір у відкритому станіЗаряд затвора (Qg) становить 18 нКл, що впливає на швидкість перемикання транзистора. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 18 мОм, що мінімізує втрати енергії при проходженні струму через відкритий канал.