Набір транзисторів WAYON WM03P115R, P-MOSFET, -30 В, -11,5 А, 3,5 Вт, DFN2020-6, 40 шт.

Набір із 40 польових транзисторів WAYON WM03P115R у корпусі DFN2020-6. Транзистор типу P-MOSFET, уніполярний, з максимальною потужністю розсіювання 3,5 Вт.

• Тип: P-MOSFET, уніполярний, корпус DFN2020-6
• Значення з назви TME: -30 В, -11,5 А
• Імпульсний струм стоку (Idm): -46 А
• Потужність розсіювання: 3,5 Вт
• Опір у відкритому стані: 18 мОм
• Кількість у комплекті: 40 шт.

Електричні параметри

У технічній назві TME для транзистора зазначено значення -30 В і -11,5 А. Імпульсний струм стоку (Idm) — -46 А. Максимальна потужність розсіювання — 3,5 Вт.

Затвор

Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В. Заряд затвора — 18 нКл.

Канал і опір

Тип транзистора — польовий, P-MOSFET, полярність — уніполярний. Тип каналу — збагачений. Опір у відкритому стані (Rds) — 18 мОм.

Корпус і монтаж

Корпус — DFN2020-6. Тип монтажу — поверхневий.

Комплектація

У комплекті 40 шт. транзисторів WAYON WM03P115R, символ TME — WM03P115R-CYG.